삼성전자, HBM5 첫 공개…SK하이닉스 생산능력 확대 '총력'

삼성전자, 차세대 HBM 시장 주도권 확보 위한 행보 본격화
삼성전자가 대만 타이베이에서 열리고 있는 '컴퓨텍스 2026'에서 8세대 고대역폭 메모리(HBM5)의 실물 모형(모크업)을 세계 최초로 공개하며 차세대 AI 반도체 시장에서의 기술 리더십을 과시했다. 이는 업계 최초로 HBM4를 양산하고 HBM4E 샘플을 출하한 데 이은 행보로, 삼성전자가 차세대 HBM 시장에서의 경쟁 우위를 확고히 하겠다는 의지를 보여준다.

SK하이닉스, 생산능력 확대 통해 삼성전자 추격 가속
한편, SK하이닉스는 향후 5년 안에 전체 웨이퍼 생산능력(캐파)을 두 배로 확대하겠다는 목표를 밝히며 메모리 반도체 공급량 증대와 함께 삼성전자에 필적하는 생산 능력 확보에 총력을 기울이고 있다. 현재 D램 기준 삼성전자는 월 70만장, SK하이닉스는 50만장의 생산 능력을 보유하고 있는 것으로 알려져 있으며, SK하이닉스의 계획대로라면 삼성전자를 제치고 1위로 올라설 수 있다. 최태원 SK그룹 회장은 메모리 병목 현상이 2030년까지 지속될 것으로 전망하며 생산 능력 확대 추진을 강조했다.

발열 제어 기술, AI 반도체 경쟁의 새로운 승부처로 떠올라
삼성전자와 SK하이닉스는 AI 반도체 고성능화에 따라 중요성이 커지고 있는 발열 제어 기술 확보에도 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 HBM5에 핵심 열관리 기술로 '히트 패스 블록(HPB)'을 적용해 고층 적층 시 발생하는 발열 문제를 해결할 계획이며, SK하이닉스는 일체형 냉각 요소(ICE)를 적용한 iHBM 솔루션을 선보이며 열 저항을 낮추는 데 집중하고 있다. 이는 AI 가속기 성능 경쟁이 심화되면서 단순히 메모리 공급량을 넘어 얼마나 효율적으로 열을 관리하고 안정적인 패키징을 구현하느냐가 AI 반도체 성능을 좌우하는 핵심 요소로 부상했기 때문이다.